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Muß HV-GND vom DST geerdet werden ?
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MickeyMaus



Anmeldedatum: 09.07.2007
Beiträge: 139

BeitragVerfasst am: Sa Jul 19, 2008 10:01 pm    Titel: Muß HV-GND vom DST geerdet werden ? Antworten mit Zitat

Ich habe nämlich manchmal Funkenüberschläge zwischen Sekundär-Masse (HV-GND) und Primär-Masse (48V-GND).

Die PINs des DST schauten auf der Lötseite der Platine etwas heraus, da habe ich sie gekürzt und eine Kugel aus Zinn raufgedetscht. Da waren die Funkenüberschläge verschwunden.

Das Ergebnis war dann allerdings das ich nun irgendwo einen Kurzschluss habe und so mein 48V Schaltnetzteil keine Spannung mehr liefert (Kurzschlussschutz). Ich hoffe nicht das da was im DST kaputt gegangen ist. Da ist mir die Vermutung gekommen, das man Sekundär-Masse erden müßte.

Was meint ihr?



P.S.: Falls die Sekundärseite geerdet werden muss kann ich das Erdkabel in mein 30 V Netzgerät stecken, da ist eine gelbe Buchse an der steht ERDE. Nicht das mein Netzteil kaputt geht.


Danke


Zuletzt bearbeitet von MickeyMaus am So Jul 20, 2008 1:10 am, insgesamt einmal bearbeitet
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Ewald



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Beiträge: 175
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BeitragVerfasst am: Sa Jul 19, 2008 10:11 pm    Titel: Antworten mit Zitat

Der Wicklungsanfang bei Hochspannungswicklungen von diversen DSTs dient zur Strahlstrombegrenzung und ist in Fernsehgeräten oder Monitoren, mit einem eher niederohmigen Widerstand gegen Masse verbunden.

Wenn so ein Pull-Down Widerstand hochohmig wird, hat meistens auch die Leiterplatte zwischen den Leiterbahnen, sehr derb ausgebrannte Löcher. Very Happy

PS: Ich habe garantiert über 100 alte Zeilentrafos herumliegen, falls mal jemand etwas zum experimentieren braucht?
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MickeyMaus



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Beiträge: 139

BeitragVerfasst am: So Jul 20, 2008 12:58 am    Titel: Antworten mit Zitat

Ich verstehe jetzt aber nicht was das mit meiner Frage zu tun hat.

Was meinst Du mit Masse, ist die mit Erde verbunden?

Ich benutze den "TCE 33", da ist sekundärseitig ein schwarzes Kabel rausgeführt, das ich nicht verbunden habe, ich denke das da normalerweise Dein Widerstand rankommt, den ich aber nicht benötige. Das schwarze Kabel ist wahrscheinlich mit dem Ende der 1. Sekundärspule verbunden.
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Ewald



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Wohnort: Oberösterreich

BeitragVerfasst am: So Jul 20, 2008 11:33 am    Titel: Antworten mit Zitat

Bei folgendem einfachen DST mußt du Pin 7 der Sekundärwicklung mit den Chassis-GND oder eben mit der Erdung verbinden.



Potentialfrei bzw. offen, darfst du diese Leitung nicht betreiben.
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MickeyMaus



Anmeldedatum: 09.07.2007
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BeitragVerfasst am: So Jul 20, 2008 5:06 pm    Titel: Antworten mit Zitat

Genau das wollte ich ja wissen, danke.

Dann habe ich noch eine Frage:

Ich will mit der Hochspannung einen ziemlich grossen Kondensator (~50nF) aufladen und dann über eine Funkenstrecke entladen.

Irgendwo habe ich gelesen das man das nicht erden sollte, bin mir aber nicht mehr sicher wo ich das gelesen habe. Stimmt das?

Wenn ich aber PIN7 erden muss, dann ist doch alles geerdet. Also, irgendwie kann ich auf die Erde nicht verzichten.

Ich habe Angst das man einen Stromschlag an Erde bekommen kann. Durch den Kondensator fließen im Entlademoment ca. (500-1000) A, allerdings nur für ca. 10 µs.
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MickeyMaus



Anmeldedatum: 09.07.2007
Beiträge: 139

BeitragVerfasst am: So Jul 20, 2008 6:01 pm    Titel: Antworten mit Zitat

Habe Sekundär-Masse von meinem TCE33 jetzt geerdet an meinem 30V Netzteil und bis jetzt läuft es ohne das mir mein FET (12N50C3) gleich kaputt geht.
Merkwürdigerweise ging nur die Drain-Source Strecke kaputt, das Gate blieb ganz.

P.S.: Man sollte niemals Holz als Isolator verwenden, da geht die Hochspannung sehr gut durch, auch über etliche cm.
Das dauerte bei mir ca. 1 Minute, dann hatte sich der Strom einen Kohlekanal durch das geschichtete Birkenholz gefressen. Hätte ich noch eine Minute gewartet, dann hätte ich löschen müssen, Rauch von verbranntem Holz stieg jedenfalls schon auf.
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MickeyMaus



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BeitragVerfasst am: Mo Jul 21, 2008 9:37 pm    Titel: FET brennt durch Antworten mit Zitat

Habe jetzt eine 1 GOhm Messbrücke (vom 40kV Labornetzgerät abgekupfert) an den HV-Ausgang angeschlossen.

Jetzt schalte ich mein 30V Netzgerät ein, dann dauert es ca. 1/5 Sekunde, dann kommt ein ziemlich starker Funke an meiner Funkenstrecke, dann stürzt immer mein 30 V Netzgerät ab. Wenn ich das ein paar Mal wiederhole brennt das Gate an meinem FET 12N50C3 durch.
Eine galvanische Verbindung zwischen Primär- und Sekundärspule besteht nicht. Ausser vielleicht irgendwie über Erde.
Ausserdem habe ich den Gateanschluss mit einer 16V Suppressordiode (P6KE) und den Drain-Anschluss mit einer 440 Volt Suppressordiode (P6KE) abgesichert.

Auf dem FET befindet sich ein Kühlkörper, allerdings befindet sich zwischen den beiden keine Isolierscheibe.

Anscheinend liegt das irgendwie am Entladefunken.

Kann es vielleicht sein das die Suppressordioden den Störstrom nicht schnell genug ableiten können?

Ich kann mir darauf keinen Reim machen woran das liegen könnte.

Vielleicht liegt es auch am abstürzenden Netzgerät.

Hat vielleicht einer eine weitere Idee?
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Andi



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BeitragVerfasst am: Mo Jul 21, 2008 9:53 pm    Titel: Antworten mit Zitat

Zeiche mal alles auf nen Plan auf. Das machts leichter.
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MickeyMaus



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BeitragVerfasst am: Di Jul 22, 2008 11:19 am    Titel: Antworten mit Zitat

http://www.bilder-space.de/show.php?file=Kb9Uv3kXiVajxhT.gif

Die Steuerschaltung kann man nicht erkennen, da diese sich auf einer kleinen Platine befindet die in den 20 poligen Sockel gesteckt wird.

Ich werde jetzt erstmal die Snubber-Schaltung (10nF/600V & 4k7/5W) aus dem 40 kV Labornetzgerät verwenden. Ausserdem vielleicht noch eine Diode von Gate nach 12V Versorgung legen.
Vielleicht behebt das ja mein Problem.

Vorgestern ist mir ja merkwürdigerweise nur die Drain-Source Strecke durchgebrannt, das Gate blieb ganz. Also denke ich das die Snubber-Schaltung was bringen müsste.

Könnte es sein, das der Entladefunken eine derart hohe Spannung in meine Kabel induziert die mein Gate zerstören können?

Danke
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MickeyMaus



Anmeldedatum: 09.07.2007
Beiträge: 139

BeitragVerfasst am: Di Jul 22, 2008 1:32 pm    Titel: Antworten mit Zitat

Habe eben einen neuen FET eingelötet und die Snubber-Schaltung aus dem 40kV Labornetzgerät. Die erste Funkenentladung hat den FET umgehauen.

Das einzige was ich jetzt noch versuchen könnte ist eine Diode von Gate nach 12Vcc zu legen, aber ob das jetzt den Erfolg bringt wage ich zu bezweifeln.

Ansonsten könnte ich noch einen 1000V FET verwenden oder einen Biopolartransistor, aber da muss ich erst mal gucken wie das genau geht. Ohne Minitrafo der den Strom vergrößert wird das wohl nichts, schätze ich mal.

Hat schonmal jemand das 40kV Labornetzgerät mit HV-Kondensator an eine Funkenstrecke angeschlossen?
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Andi



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Beiträge: 1925

BeitragVerfasst am: Di Jul 22, 2008 4:46 pm    Titel: Antworten mit Zitat

Ein Stromlaufplan würds irgendwie besser tun. Aber ok, sieht man nix verdächtiges. Was sind das für Freilaufdioden? Hoffentlich schnelle.

Schon mal mit bipolaren Transistoren versucht? Die sind deutlich unempfindlicher.
Vor allem: Metallgehäuse drumrumgebaut?
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MickeyMaus



Anmeldedatum: 09.07.2007
Beiträge: 139

BeitragVerfasst am: Di Jul 22, 2008 6:00 pm    Titel: Antworten mit Zitat

Andi hat Folgendes geschrieben:
Ein Stromlaufplan würds irgendwie besser tun. Aber ok, sieht man nix verdächtiges. Was sind das für Freilaufdioden? Hoffentlich schnelle.

Schon mal mit bipolaren Transistoren versucht? Die sind deutlich unempfindlicher.
Vor allem: Metallgehäuse drumrumgebaut?



Das sind Suppressordioden, schneller geht es nicht mehr, würde ich sagen. Theoretisch liegen die Schaltzeiten wohl bei wenigen Picosekunden.

Hast Du vielleicht einen Tipp was für ein bipolar Transistor am besten wäre? Nachdem was ich gesehen habe sind die Ausschaltzeiten nicht gerade schnell.

Ausserdem benötigt man da einen ca. 1:5 Übertrager, da der Bipolartransistor viel Strom bei wenig Spannung benötigt. Das Problem ist das bei denen die ich gefunden habe (Reichelt, Kessler, Conrad) nur selten die Grenzfrequenz dransteht. Bei 40 kHz sollte die, denke ich mal, schon liegen.

Ich versuche jetzt nochmal eine Diode von Gate nach Vcc zu legen, wenn das auch nicht funktioniert, dann bleibt wohl nur noch ein bipolarer Transistor übrig.
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Andi



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BeitragVerfasst am: Di Jul 22, 2008 6:47 pm    Titel: Antworten mit Zitat

Schon mal an Darlington-Transistoren gedacht? Die haben eine sehr hohe Stromverstärkung, man braucht nicht viel um sie voll auszusteuern.
Alternativ kannste ja auch mal IGBT`s austesten, die sind so ein zwischending.
Lassen sich quasi leistungslos ansteuern und bringen bis zu 1200 Volt Sperrspannung mit, aber auch relativ lange Abschaltzeiten.
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MickeyMaus



Anmeldedatum: 09.07.2007
Beiträge: 139

BeitragVerfasst am: Mi Jul 23, 2008 11:47 pm    Titel: Antworten mit Zitat

Andi hat Folgendes geschrieben:
Schon mal an Darlington-Transistoren gedacht? Die haben eine sehr hohe Stromverstärkung, man braucht nicht viel um sie voll auszusteuern.
Alternativ kannste ja auch mal IGBT`s austesten, die sind so ein zwischending.
Lassen sich quasi leistungslos ansteuern und bringen bis zu 1200 Volt Sperrspannung mit, aber auch relativ lange Abschaltzeiten.


- IGBT enthalten aber auch wieder einen FET, die werden auch nicht robuster sein am Gate. Ausserdem neigen die wohl zum Latch-UP.

- Darlington für TV Horizontal Deflection Anwendungen habe ich glaube gestern einen gefunden. Finden ist zwar schön, aber wenn ich ihn nicht kaufen kann nutzt mir das wenig.

Kann ich nicht selber 2 Transistoren hintereinanderschalten? Ich weiss nur nicht wie sich das dann auf die Schaltzeiten auswirkt. Was ist, wenn ich zwei doppelt so schnelle Transistoren nehme wie benötigt, dann müsste das bei 2 hintereinnander ca. die halbe Schaltzeit ergeben.

Was ich nicht ganz verstanden habe, was bedeutet STORAGE TIME? Die beträgt immer so 2µs, während die FALL TIME nur 200ns beträgt. Muss ich beide addieren?


=>
Habe meine Schaltung nochmal repariert (Schutzdiode am Gate P6KE16A ebenfalls ausgewechselt), den Snubber aus dem 40kV Labornetzgerät nachgerüstet, sowie eine Diode von Gate nach VCC gezogen. Also, alles wie beim 40kV-Labornetzgerät.
Ein paar Funken an meiner Kugellfunkenstrecke (Kugeldurchmesser je 25mm, Abstand ca. 5mm) hat es gegeben, dann ist wieder das Gate durchgebrannt.
Ich vermute das eine Spannung >20V über die Zuleitungen ins Gate induziert wird und es so zerstört wird.

P.S.: Ich glaube ich habe einen brauchbaren Darlington gefunden:

http://www.datasheetcatalog.net/datasheets_pdf/B/U/8/0/BU808DFI.shtml

Kostet auch nur 1,95 Euro/Stck.

Das beste daran ist, das ich die FET Gurke einfach rausnehmen und den Darlington einfach reinlöten kann ohne was zu ändern. Dann noch den Treiberwiderstand etwas erhöhen und das müßte endlich gehen, hoffentlich.
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MickeyMaus



Anmeldedatum: 09.07.2007
Beiträge: 139

BeitragVerfasst am: Do Jul 31, 2008 11:42 pm    Titel: Antworten mit Zitat

Habe die bipolar-Transistoren (BU808DFI) erhalten und eingelötet.

Der Transistor funktioniert zwar, aber es gibt nur einen ganz schwachen Funken (~3mm Funkenschlagweite), und das auch nur kurz beim Einschalten.

Die Basis auf dem Oszilloskop betrachtet sieht so aus als ob sie angeht (~2V), dann abgeschaltet wird vom UC3845N, aber weiterhin von selbst anzubleiben scheint (weiterhin ~2V), dann geht sie abrupt aus.
Meine Periodendauer beträgt 52µs, davon sind dann nur etwa 8µs Low, obwohl es mindetens 26µs sein müssen, und auch immer waren bei Verwendung eines FET. Das muss irgendwas mit der Flybackspannung zu tun haben.

Kann es sein das die Basis sich von selbst eine Weile offen hält wie ein Thyristor?

Im Datenblatt:

http://www.datasheetcatalog.org/datasheet/stmicroelectronics/4519.pdf

steht etwas von einer Induktivität die man zwischen Treiber und Basis schalten soll.

Kann es sein das diese Induktivität dafür sorgen soll das die Basis des Transistors gelöscht wird?

P.S.: zwischen Emitter und GND habe ich einen 0,14 Ohm großen Shunt.

Danke
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